IGBT G20N60

Описание IGBT G20N60

IGBT G20N60 – это транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (быстрое переключение) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства с высоким КПД

Технические характеристики G20N60

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 130 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (иногда TO-3P) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• IRG4PC50U (International Rectifier, 600 В, 23 А)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200 В, 25 А, но может заменяться в некоторых схемах)
• H20R1202 (STMicroelectronics, 1200 В, 20 А)
• K20N60 (схожий параметр, но разные производители)

Аналоги с близкими параметрами:

• G25N60 (25 А, 600 В)
• G30N60 (30 А, 600 В)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 600 В, 24 А)

Производители G20N60:

• Fairchild Semiconductor (ныне ON Semiconductor)
• STMicroelectronics
• Infineon

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение (600 В или выше)
• Ток (20 А и более)
• Корпус (TO-247, TO-3P)
• Параметры переключения (t_on, t_off)

Если требуется более мощный аналог, можно выбрать G30N60 (30 А) или IRG4PH50UD (600 В, 40 А).

Если нужна дополнительная информация по конкретному производителю или datasheet, уточните!