IGBT g20n60rufd

Описание IGBT G20N60RUFD

G20N60RUFD – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым восстановительным диодом, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей и инверторов. Применяется в сварочных аппаратах, индукционных нагревателях, источниках бесперебойного питания (ИБП), электроприводах и других силовых устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 600 В)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрый встроенный диод для снижения потерь при коммутации
• Высокая перегрузочная способность
• Корпус TO-247 (TO-3PF) с хорошим теплоотводом

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом |
| Макс. напряжение V_CES | 600 В |
| Ток коллектора I_C (при 25°C) | 20 А |
| Ток коллектора I_C (при 100°C) | 10 А |
| Макс. импульсный ток I_CM | 40 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) | 1.8 В (тип.) при I_C = 10 А |
| Рассеиваемая мощность P_D | 160 Вт |
| Встроенный диод | Да (ультрабыстрый) |
| Частотный диапазон | до 30 кГц |
| Корпус | TO-247 (TO-3PF) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |
| Температура перехода | +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие параметры, корпус TO-247):

• IRG4PC50UD (600 В, 23 А, Infineon)
• FGA20N60 (600 В, 20 А, Fairchild/ON Semi)
• H20R1202 (600 В, 20 А, STMicroelectronics)
• IXGH20N60C2 (600 В, 20 А, IXYS)

Аналоги с близкими характеристиками (возможна замена, но с проверкой параметров):

• IRG4PH40UD (600 В, 18 А)
• STGW20NC60V (600 В, 20 А, STMicro)
• NGTB20N60FL2 (600 В, 20 А, ON Semiconductor)

Другие варианты (с учетом корпуса и характеристик):

• G25N60 (600 В, 25 А) – более мощный аналог
• G15N60 (600 В, 15 А) – менее мощный вариант

Применение

• Сварочные инверторы
• ИБП и инверторы напряжения
• Индукционные нагреватели
• Управление двигателями

Примечание

При замене аналогами важно учитывать:

• Максимальный ток и напряжение
• Наличие встроенного диода
• Параметры V_CE(sat) и частотные характеристики

Если требуется модель с улучшенными характеристиками (например, более высокий ток или низкие потери), можно рассмотреть IGBT нового поколения от Infineon, STMicroelectronics или ON Semiconductor.