IGBT g30n60a4d

Описание IGBT G30N60A4D

G30N60A4D – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и номинальным током коллектора 30 А (при 25°C). Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых схемах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеяния (P_D) | 200 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,0–6,0 В |
| Время включения (t_d(on)) | 30 нс (тип.) |
| Время выключения (t_d(off)) | 150 нс (тип.) |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 600 В |
| Корпус | TO-247 |
| Температура перехода (T_j) | -55°C…+150°C |

Аналоги и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IRG4PC50UD (International Rectifier) – 600V, 33A
• FGH30N60SMD (Fairchild/ON Semi) – 600V, 30A
• HGTG30N60A4D (Fairchild) – 600V, 30A
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics) – 600V, 30A

Близкие по параметрам:

• IRG4PH40UD (600V, 23A)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS) – 600V, 30A
• APT30GR60J (Microchip) – 600V, 30A

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется альтернатива с улучшенными параметрами (например, более низкими потерями), можно рассмотреть модели SiC-транзисторов (например, C3M0065090D от Wolfspeed).

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!