IGBT g30n60rufd

Описание IGBT G30N60RUFD

G30N60RUFD — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) производства Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• Инверторов и преобразователей частоты
• Систем управления двигателями
• Сварочного оборудования
• Индукционных нагревателей

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 60 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (при I_C = 15 А) |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 160 Вт |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (зарубежные производители):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA30N60FTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H30R60 (STMicroelectronics)
• K30N60 (Toshiba)

Частично совместимые модели (с проверкой параметров):

• G25N60 (меньший ток, но та же серия)
• G40N60 (больший ток, аналогичное напряжение)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 600 В, 24 А)

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение V_CES (не менее 600 В).
• Ток I_C (рекомендуется не менее 30 А).
• Наличие встроенного диода (если требуется).
• Корпус (TO-247 для совместимости по теплоотводу).

Если требуется меньшая мощность, можно рассмотреть G20N60, а для более высоких нагрузок — G40N60 или G50N60.

Для уточнения совместимости в конкретной схеме рекомендуется проверять даташиты и сравнивать ключевые параметры (особенно V_CE(sat) и динамические характеристики).