IGBT g40n60ufd

IGBT G40N60UFD: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT G40N60UFD – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочных аппаратов и других силовых электронных устройств. Имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его подходящим для высокочастотных приложений.

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 20 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 100 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Аналоги и совместимые модели

• IRG4PC40UD (International Rectifier)
• FGA40N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG40N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH40N60 (IXYS)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)

Парт-номер (Part Number) и альтернативные обозначения

• G40N60UFD (оригинальный номер)
• G40N60UFD-ND (Digi-Key)
• G40N60UFD-XXX (варианты от разных производителей)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужны спецификации для конкретного производителя или уточнение параметров, укажите, и я помогу найти более точные данные.