IGBT G4PH40UD2-E

IGBT G4PH40UD2-E: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT G4PH40UD2-E – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-247, предназначенный для применения в силовой электронике. Используется в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других высоковольтных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 40 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 80 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,0–6,0 В | | Время включения (t_d(on)) | 35 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 180 нс | | Корпус | TO-247 | | Производитель | Toshiba (или другой, если уточнено) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от Toshiba:

  • G4PH50UD
  • G4PH50UD-E

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW40N60T
  • STMicroelectronics: STGW40NC60WD
  • Fairchild (ON Semiconductor): FGH40N60SMD

• Совместимые по параметрам:

  • Любой IGBT с параметрами 600V, 40A, TO-247 и схожими динамическими характеристиками.

Если вам нужна замена, важно учитывать схему драйвера затвора и условия эксплуатации (частоту переключений, температуру).

Нужна дополнительная информация? Уточните производителя или конкретное применение.