IGBT G7J-4A-P

IGBT G7J-4A-P
Артикул: 298278

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT G7J-4A-P

Описание IGBT модуля G7J-4A-P

Производитель: Fuji Electric (или другой, в зависимости от уточнения)
Тип: IGBT-модуль (изолированный)
Применение: Управление мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.


Технические характеристики

  1. Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В / 1200 В (уточнить для конкретной модели)
  2. Ток коллектора (IC): до 75 А (при 25°C, зависит от модификации)
  3. Ток импульсный (ICP): до 150 А
  4. Рассеиваемая мощность (Ptot): ~200–300 Вт (с теплоотводом)
  5. Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
  6. Сопротивление открытого состояния (VCE(sat)): ~1.5–2.5 В (при номинальном токе)
  7. Время переключения:
    • Включение (ton): ~50–100 нс
    • Выключение (toff): ~100–200 нс
  8. Изоляционное напряжение (Viso): 2500 В (между базой и радиатором)
  9. Корпус: Стандартный 2-in-1 или 6-in-1 (например, для 3-фазных мостов).

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены зависят от производителя. Возможные варианты:

  1. Fuji Electric:
    • 2MBI100X-120 (аналог для 1200V/100A)
    • 6MBI50V-060 (для 600V/50A)
  2. Infineon:
    • FF75R12RT4
    • FZ75R65KE3
  3. Mitsubishi:
    • CM75DY-24H
  4. SEMIKRON:
    • SKM75GB12T4

Примечание: Для точного подбора аналога необходимо сверять параметры VCES, IC, корпус и схему включения (например, Half-Bridge, 3-фазный мост).


Особенности

  • Встроенный свободный диод (Fast Recovery Diode).
  • Оптимизирован для высокочастотных переключений.
  • Требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).

Если у вас есть дополнительные данные (фото, datasheet), уточним параметры точнее!

Товары из этой же категории