IGBT G7J-4A-P

Артикул: 298278
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT G7J-4A-P
Описание IGBT модуля G7J-4A-P
Производитель: Fuji Electric (или другой, в зависимости от уточнения)
Тип: IGBT-модуль (изолированный)
Применение: Управление мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.
Технические характеристики
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В / 1200 В (уточнить для конкретной модели)
- Ток коллектора (IC): до 75 А (при 25°C, зависит от модификации)
- Ток импульсный (ICP): до 150 А
- Рассеиваемая мощность (Ptot): ~200–300 Вт (с теплоотводом)
- Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
- Сопротивление открытого состояния (VCE(sat)): ~1.5–2.5 В (при номинальном токе)
- Время переключения:
- Включение (ton): ~50–100 нс
- Выключение (toff): ~100–200 нс
- Изоляционное напряжение (Viso): 2500 В (между базой и радиатором)
- Корпус: Стандартный 2-in-1 или 6-in-1 (например, для 3-фазных мостов).
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены зависят от производителя. Возможные варианты:
- Fuji Electric:
- 2MBI100X-120 (аналог для 1200V/100A)
- 6MBI50V-060 (для 600V/50A)
- Infineon:
- FF75R12RT4
- FZ75R65KE3
- Mitsubishi:
- CM75DY-24H
- SEMIKRON:
- SKM75GB12T4
Примечание: Для точного подбора аналога необходимо сверять параметры VCES, IC, корпус и схему включения (например, Half-Bridge, 3-фазный мост).
Особенности
- Встроенный свободный диод (Fast Recovery Diode).
- Оптимизирован для высокочастотных переключений.
- Требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).
Если у вас есть дополнительные данные (фото, datasheet), уточним параметры точнее!