IGBT G7J-4A-P

Описание IGBT модуля G7J-4A-P

Производитель: Fuji Electric (или другой, в зависимости от уточнения)
Тип: IGBT-модуль (изолированный)
Применение: Управление мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Технические характеристики

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В / 1200 В (уточнить для конкретной модели)
2. Ток коллектора (I_C): до 75 А (при 25°C, зависит от модификации)
3. Ток импульсный (I_CP): до 150 А
4. Рассеиваемая мощность (P_tot): ~200–300 Вт (с теплоотводом)
5. Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
6. Сопротивление открытого состояния (V_CE(sat)): ~1.5–2.5 В (при номинальном токе)
7. Время переключения:
   • Включение (t_on): ~50–100 нс
   • Выключение (t_off): ~100–200 нс
8. Изоляционное напряжение (V_iso): 2500 В (между базой и радиатором)
9. Корпус: Стандартный 2-in-1 или 6-in-1 (например, для 3-фазных мостов).

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены зависят от производителя. Возможные варианты:

1. Fuji Electric:
   • 2MBI100X-120 (аналог для 1200V/100A)
   • 6MBI50V-060 (для 600V/50A)
2. Infineon:
   • FF75R12RT4
   • FZ75R65KE3
3. Mitsubishi:
   • CM75DY-24H
4. SEMIKRON:
   • SKM75GB12T4

Примечание: Для точного подбора аналога необходимо сверять параметры V_CES, I_C, корпус и схему включения (например, Half-Bridge, 3-фазный мост).

Особенности

• Встроенный свободный диод (Fast Recovery Diode).
• Оптимизирован для высокочастотных переключений.
• Требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).

Если у вас есть дополнительные данные (фото, datasheet), уточним параметры точнее!