IGBT G7N60A4D

Описание IGBT G7N60A4D

G7N60A4D — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) серии G7, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Этот IGBT обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для высокоэффективных преобразователей. Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает компактность и хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------|----------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 7 А |
| Ток импульса (I_CM) | 14 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,6 В (при 7 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 10 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 65 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• STG7N60A4 (STMicroelectronics)
• IRG7N60A4 (Infineon)
• HGTG7N60A4 (ON Semiconductor)

Близкие по характеристикам:

• FGH7N60SFD (Fairchild/ON Semi)
• IKW7N60H3 (Infineon)
• 7MBR60SA060 (Fuji Electric, модуль)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы для электродвигателей
• Системы управления освещением
• Устройства резервного питания (UPS)

Если требуется замена, важно учитывать параметры V_CES, I_C, V_CE(sat) и корпус. Для точной совместимости рекомендуется проверять даташиты.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь! 🚀