IGBT GA100TS60U

Описание IGBT-модуля GA100TS60U

GA100TS60U — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль объединяет в себе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды, обеспечивая эффективное управление мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | 6-выводной (TO-247, модульная сборка) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• GA100TS60U (оригинальная модель)
• GA100TS60U1 (возможная модификация)

Совместимые аналоги:

• IXGH100N60B3 (IXYS)
• FGA100N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG30N60B3 (Microsemi)

При замене на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики.

Применение и особенности

• Высокая эффективность благодаря низкому V_CE(sat)
• Быстрое переключение для снижения потерь
• Встроенный температурный датчик (в некоторых версиях)
• Подходит для инверторов до 10–15 кВт

Если требуется более мощный модуль, можно рассмотреть GA150TS60U или аналоги с током 150 А.