IGBT GA200SA60S

Описание IGBT GA200SA60S

GA200SA60S – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных силовых электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, а также высокую температурную стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 200 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• IXYS IXGH48N60A
• Infineon FF200R06KE3
• Fuji Electric 2MBI200U6A-060
• Mitsubishi CM200DU-12NFH
• SEMIKRON SKM200GB066D

Совместимые модули в линейке GA:

• GA100SA60S (100 А, 600 В)
• GA300SA60S (300 А, 600 В)
• GA200SA120S (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль GA200SA60S отличается высокой надежностью и подходит для замены в ремонтных работах при отсутствии оригинальных аналогов. Перед установкой рекомендуется проверять распиновку и параметры, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или exact datasheet), уточните!