IGBT GA75TS120K

Описание IGBT GA75TS120K

GA75TS120K — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Он сочетает высокую скорость переключения с низкими потерями проводимости, что делает его пригодным для частотных преобразователей, сварочного оборудования, промышленных приводов и систем управления электродвигателями.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод, а встроенный быстрый диод (Flyback Diode) улучшает надежность в индуктивных нагрузках.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с обратным диодом | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток импульса (I_CM) | 150 А (кратковременно) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 75 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (с радиатором) | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для 20-50 кГц) | | Темп. перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный вариант возможен) | | Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (производитель: Toshiba, Infineon, STMicroelectronics)

• Toshiba: GT75Q321 (1200V, 75A)
• Infineon: IKW75N120T2 (1200V, 75A)
• STMicroelectronics: STGW75HF120S (1200V, 75A)

Совместимые модели (по характеристикам)

• Fuji Electric: 2MBI75S-120 (модуль IGBT)
• Mitsubishi: CM75TU-24H (1200V, 75A)
• IXYS: IXGH75N120B3 (1200V, 75A)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Управление электродвигателями
• Индукционные нагреватели

Примечание

Перед заменой на аналог проверьте распиновку и характеристики в datasheet, особенно параметры V_CE(sat) и динамические потери. Для высокочастотных схем критична скорость восстановления диода.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимости тока от температуры), уточните!