IGBT GB6B60K

Описание IGBT GB6B60K

GB6B60K – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-263 (D²PAK), предназначенный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе высокую эффективность MOSFET и низкие потери проводимости биполярного транзистора.

Основные сферы применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Управление мощными нагрузками

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 6 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 12 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Внутренний диод | Быстрый обратный диод (FRD) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 2,5 °C/Вт |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• IRGB6B60K (International Rectifier)
• STGB6B60K (STMicroelectronics)
• FGH6N60B (Fairchild/ON Semiconductor)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• IRG4BC30K (600 В, 6 А, TO-220)
• FGA6N60 (600 В, 6 А, TO-220F)
• HGTG6N60B3 (600 В, 6 А, TO-247)

Похожие модели с другими характеристиками:

• GB6B60KD (с другим корпусом или улучшенными параметрами)
• GB6B60K-E3/54 (вариант от Vishay)

Примечания

• Перед заменой рекомендуется сверять распиновку и характеристики.
• Для эффективного теплоотвода рекомендуется использовать радиатор.
• В схемах с высокой частотой коммутации важно учитывать время переключения.

Если вам нужны аналоги в другом корпусе (например, TO-220 или TO-247) или с другими параметрами, уточните запрос.