IGBT GD100HFT120C1S

Описание IGBT модуля GD100HFT120C1S

Модуль GD100HFT120C1S — это высоковольтный IGBT-транзистор с кремниевой технологией, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль объединяет IGBT и антипараллельный диод в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: IGBT + диод (Dual)
• Конфигурация: 1 в 1 (один IGBT и один диод в одном модуле)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 100°C)
• Ток короткого импульса (I_CP): 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 250 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт

Диодные характеристики:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Прямое падение напряжения (V_FM): 1.8 В (тип.)

Условия эксплуатации:

• Рабочая температура (T_j): -40°C до +150°C
• Температура хранения: -40°C до +125°C
• Корпус: модульный, изолированный

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100V-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• Powerex (IXYS): CM100HA-12H

Совместимые модели (по характеристикам):

• GD75HFL120C1S (75A, 1200V)
• GD150HFL120C1S (150A, 1200V)
• GD200HFL120C1S (200A, 1200V)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и сервосистемы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль GD100HFT120C1S обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых приложениях благодаря низкому уровню потерь и хорошей теплопередаче.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!