IGBT GD100HFU120C2S

Описание IGBT модуля GD100HFU120C2S

GD100HFU120C2S – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Модуль выполнен в компактном корпусе с низкими тепловыми потерями и высокой эффективностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Макс. температура перехода (T_j) | 150°C |
| Корпус | Изолированный (с базовой платой)|
| Вес | ~100 г |

Аналоги и парт-номера

Прямые замены (аналогичные модели):

• Infineon: FF100R12YT3, FF100R12KT3
• Mitsubishi: CM100DY-12H, CM100DY-24H (для 1200В)
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Semikron: SKM100GB12T4

Совместимые модели (схожие параметры):

• GD75HFU120C2S (75 А, 1200 В)
• GD150HFU120C2S (150 А, 1200 В)
• GD200HFU120C2S (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Электроприводы
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или datasheet, уточните производителя и условия эксплуатации.