IGBT GD150HFL120C8SN

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT GD150HFL120C8SN
IGBT-модуль GD150HFL120C8SN
Описание:
Модуль GD150HFL120C8SN — это высоковольтный IGBT-транзистор с диодом обратного восстановления (FRD), предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и промышленных источниках питания. Модуль выполнен в корпусе с низкой индуктивностью выводов, обеспечивает высокую эффективность и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.
Производитель:
Предположительно, модуль выпускается компанией Semikron, Infineon или аналогичным производителем (точное происхождение требует уточнения, так как в открытых источниках данный партномер встречается редко).
Технические характеристики:
| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип модуля | IGBT + FRD (диод) | | Макс. напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | до 300 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~2.1 В (тип.) | | Время включения/выключения (ton/toff) | н/д | | Корпус | Изолированный (например, SEMiX или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.12 К/Вт |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены зависят от производителя. Возможные варианты:
- Semikron: SKM150GB12T4, SKM150GB12V
- Infineon: FF150R12KT3, FF150R12RT4
- Mitsubishi: CM150DY-12S
- Fuji Electric: 2MBI150XAA120-50
Для точного подбора аналога рекомендуется проверять:
- Напряжение (1200 В)
- Ток (150 А)
- Корпус и схему включения (полумодуль, 6- или 7-выводной вариант).
Применение:
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Системы управления тяговыми электродвигателями
- ИБП и возобновляемая энергетика
Примечание: Для уточнения характеристик и аналогов рекомендуется обращаться к даташиту производителя или использовать платформы типа Octopart, Datasheet Archive.