IGBT GD150HFU120C2S

Описание IGBT модуля GD150HFU120C2S

Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните бренд, если модуль от другого производителя).
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный FRD).
Назначение: Применяется в силовой электронике: частотные преобразователи, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 150 А
• Пиковый ток (I_CP): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Кол-во IGBT в модуле: 1 (одиночный) или 2 (полумостовая сборка) – уточните конфигурацию.

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.15 °C/Вт

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): ~100 нс
• Время выключения (t_off): ~300 нс
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2.0 В

Встроенный диод (FRD):

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А

Механические параметры:

• Корпус: Стандартный модуль (например, Fuji E-type или аналог).
• Монтаж: Винтовое крепление, изолированное основание.

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: IXGH150N120B3

Парт-номера того же производителя (если Fuji Electric):

• GD150HFU120C2 (возможны вариации в конце маркировки).
• 2MBI150U2A-120 (возможный аналог от Fuji).

Совместимые модели в схемах:

Модуль может заменяться на аналоги с такими же параметрами (1200 В, 150 А), но важно учитывать:

• Распиновку и габариты корпуса.
• Наличие/отсутствие встроенного диода.

Примечание

Уточните производителя модуля (Fuji, Infineon и др.), так как маркировка может соответствовать разным брендам. Для точных данных рекомендуется проверять даташит на конкретную модель.

Если нужна помощь в подборе аналога или схемы подключения – укажите дополнительную информацию.