IGBT GD200HFL120C2S

Описание IGBT модуля GD200HFL120C2S

Модель: GD200HFL120C2S
Производитель: вероятно, Infineon Technologies (уточните бренд, так как маркировка может относиться к другим производителям, например, Mitsubishi или Fuji Electric).

Этот IGBT-модуль относится к классу высоковольтных силовых полупроводниковых устройств, предназначенных для управления мощными электрическими нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, системах возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы) и промышленных приводах.

Основные технические характеристики

• Тип модуля: IGBT + диод (вероятно, 2-in-1, Half-Bridge)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C): 200 А (при 25°C)
• Ток при перегрузке (I_CP): до 400 А (кратковременно)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~600–800 Вт (зависит от охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2.0–2.5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): нс/мкс диапазон
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C (корпус)
• Корпус: модуль с изолированным основанием (FL-серия, например, FL-120)
• Схема включения: Half-Bridge (2 IGBT + 2 диода)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя. Некоторые возможные варианты:

• Infineon: FF200R12KE3, FZ200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NFH, CM200DU-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Примечание: Перед заменой необходимо сверять распиновку, характеристики и конструктив корпуса.

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Солнечные и ветровые инверторы

Для точных данных рекомендуется обратиться к даташиту производителя (Infineon, Mitsubishi и т. д.), так как маркировка может отличаться в зависимости от бренда.