IGBT GD25PJT120L3S

Описание IGBT модуля GD25PJT120L3S

GD25PJT120L3S – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и током 25 А, предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразовательных систем. Модуль содержит диод обратного восстановления (FRD) и обладает низкими потерями проводимости и переключения.

Применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Управлении электродвигателями
• ИБП (источниках бесперебойного питания)
• Солнечных инверторах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 50 А |
| Мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Диод обратного восстановления (FRD) | встроенный, V_RRM = 1200 В |
| Температура хранения | от -40°C до +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• Infineon: IKW25N120T2 (1200V, 25A, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI25N-120 (1200V, 25A, модуль)
• Mitsubishi: CM25DY-12S (1200V, 25A, модуль)
• STMicroelectronics: STGW25H120DF2 (1200V, 25A, TO-247)

Частично совместимые (требуется проверка схемы):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (1200V, 23A, TO-247AC)
• Toshiba: GT25J101 (1000V, 25A, TO-247)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики по даташиту, так как у разных производителей могут быть отличия в управляющих напряжениях и тепловых параметрах.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – пиши!