IGBT GD50PIT120C6S

Описание IGBT модуля GD50PIT120C6S

GD50PIT120C6S – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и током 50 А, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных устройств. Модуль включает в себя антипараллельный диод, обеспечивающий обратное восстановление тока.

Применяется в:

• Промышленных инверторах
• Частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Устройствах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток при 80°C (I_C) | 30 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,1 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | ≤ 60 нс | | Время выключения (t_off) | ≤ 300 нс | | Встроенный диод (FWD) | Да (антипараллельный) | | Корпус | Полупроводниковый модуль (изолированный) | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF50R12RT4, FF50R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI50U2A-120
• Mitsubishi: CM50DY-24S
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• STMicroelectronics: STGW50H120DF2
• IXYS: IXGH50N120B3

Другие парт-номера серии GD50PIT:

• GD50PIT120C6 (упрощенная версия)
• GD50PIT120C6K (модифицированный корпус)
• GD50PIT120C6D (с улучшенным диодом)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и параметры в даташите конкретного производителя, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схема подключения или графики), уточните – помогу найти даташит или аналоги.