IGBT GD75HFT120C1S

Описание IGBT модуля GD75HFT120C1S

IGBT GD75HFT120C1S – это высоковольтный силовой модуль, сочетающий IGBT-транзистор и диод в одном корпусе. Предназначен для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой перегрузочной способностью и устойчивостью к коротким замыканиям. Корпус обеспечивает эффективное охлаждение и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.2 В |
| Время включения (t_on) | 40 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 200 нс (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (например, TO-247) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF75R12RT4, FF75R12KE3
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модули с аналогичными параметрами:

• IR (Infineon): IRG7PH42UD
• Toshiba: MG75Q2YS40
• ON Semiconductor: NGTB75N120FL2WG

Применение

• Промышленные инверторы
• Системы управления двигателями
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобильные зарядные станции

Примечание

При замене модуля учитывайте распиновку, тепловые характеристики и параметры драйвера. Рекомендуется проверять документацию производителя для точного соответствия.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!