IGBT GD75PIL120C6S

Описание IGBT модуля GD75PIL120C6S

IGBT-модуль GD75PIL120C6S — это высоковольтный силовой транзистор с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и надежную работу в жестких условиях эксплуатации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом (NPT) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.2 В (тип.) | | Падение напряжения диода (V_F) | 1.7 В (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | Пластиковый, изолированный (UL-признанный) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG7PH35UD1 (International Rectifier)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)
• BSM75GB120DN2 (Infineon)

Модули с похожими характеристиками (возможна замена после проверки схемы):

• GD75PIL120C6S (аналогичный от того же производителя)
• SKM75GB12T4 (Semikron)
• MG75Q1US41 (Toshiba)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или рекомендации по охлаждению), уточните запрос.