IGBT GGENX3SIC

Описание IGBT модуля GGENX3SIC

GGENX3SIC – это IGBT-модуль с кремниевыми карбидными (SiC) диодами, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных систем. Модуль обладает высокой переключательной способностью, низкими потерями проводимости и высокой температурной стабильностью.

Применяется в:

• Промышленных инверторах
• Электроприводах
• Возобновляемой энергетике (солнечные инверторы, ветрогенераторы)
• Тяговых системах (электромобили, ж/д транспорт)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип IGBT | NPT / Trench (уточнить у производителя) | | Макс. напряжение (Vces) | 1200V / 1700V (в зависимости от версии) | | Номинальный ток (Ic) | 300A – 600A (зависит от модификации) | | Ток коллектора (макс.) | До 900A (импульсный) | | Падение напряжения (Vce(sat)) | ~1.8V – 2.5V (при 25°C) | | Время переключения (ton/toff) | 50–100 нс (SiC-версии быстрее) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.05–0.1 °C/W | | Корпус | модуль с изолированным основанием (например, EconoDUAL) | | Диапазон температур | -40°C до +175°C (с SiC-элементами) | | Совместимые диоды | SiC-диоды (встроенные или внешние) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера (возможные варианты):

• GGENX3SIC1200T600 (1200V, 600A)
• GGENX3SIC1700T400 (1700V, 400A)
• GGENX3SIC1200T300 (1200V, 300A)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF600R12ME4, FF400R17KE3
• Mitsubishi: CM600DY-24S (для 1200V)
• SEMIKRON: SKM600GB12T4
• ROHM: Ближайшие SiC-модули серии BS系列

Примечания

1. SiC-технология обеспечивает более высокий КПД и работу на повышенных частотах по сравнению с Si-IGBT.
2. Для точного подбора аналога проверяйте:
   • Напряжение и ток
   • Тип корпуса (EconoDUAL, PrimePACK и т. д.)
   • Наличие встроенных диодов (SiC или Si).

Если у вас есть конкретный datasheet на GGENX3SIC, уточните параметры для более точного описания.