IGBT GP30B120KD-E

Описание и технические характеристики IGBT GP30B120KD-E

IGBT GP30B120KD-E – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочных аппаратах и системах управления двигателями. Модуль имеет встроенный обратный диод (FRD) для защиты от обратных токов и обеспечивает высокую эффективность и надежность в тяжелых рабочих условиях.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 30 А | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 15 А | | Пиковый ток (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 30 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Встроенный обратный диод (FRD) | Да | | Корпус | TO-247 (или другой, уточните у производителя) | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 21A)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200V, 30A)
• IXGH30N120BD1 (IXYS, 1200V, 30A)
• H30R1202 (Infineon, 1200V, 30A)

Похожие модели от того же производителя (если известен):

• GP30B120KD (возможны незначительные отличия)
• GP30B120K (версия без встроенного диода)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если у вас есть дополнительные данные о производителе (например, Toshiba, Infineon), можно уточнить параметры и аналоги более точно. Нужна ли дополнительная информация?