IGBT GP35B60PD

IGBT GP35B60PD: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT GP35B60PD – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей устойчивостью к перегрузкам. Используется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании
• Промышленных приводах

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|---------------------------|--------------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 35 А |
| Пиковый ток коллектора (I_CM) | 70 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 35 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводный) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ~ +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA35N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG35N60B3 (Microsemi)
• STGW35HF60WD (STMicroelectronics)

Примечание:

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики в даташите, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если вам нужна более точная информация (например, для конкретного производителя), уточните модель или производителя.