IGBT GP50B60PD1

Описание IGBT GP50B60PD1

IGBT GP50B60PD1 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как инверторы, импульсные источники питания, двигательные приводы и системы управления мощностью. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его эффективным решением для энергоемких приложений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 25 А, 25°C) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)

Похожие модели (с другими параметрами):

• GP40B60PD1 (40 А, 600 В)
• GP50B120PD1 (50 А, 1200 В)
• GP30B60PD1 (30 А, 600 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Примечание

Перед заменой на аналог проверьте соответствие характеристик, особенно V_CES, I_C, корпус и параметры переключения. У разных производителей могут быть отличия в динамических характеристиках.

Если вам нужна спецификация для конкретного аналога, уточните модель!