IGBT GT45G128

IGBT GT45G128: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT GT45G128 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль обладает высоким КПД, низкими коммутационными потерями и высокой температурной стабильностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 45 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 25 A) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT GT45G128 может быть заменен аналогами других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG45N120BND (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH45N120B3 (IXYS)
• FGA45N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и системы управления двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.