IGBT GW39NC60VD

Описание IGBT GW39NC60VD

GW39NC60VD – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости
• Быстрое переключение
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
• Изолированный корпус, обеспечивающий простоту монтажа и теплоотвод

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 39 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 23 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 78 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 65 нс |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (full replacement):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH40N60C (IXYS)
• STGW40NC60VD (STMicroelectronics)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• HGTG20N60C3 (Fairchild)
• NGTB40N60FL2WG (ON Semiconductor)
• IKW40N60T (Infineon)

Другие парт-номера GW39NC60VD:

• GW39NC60VD TO-247
• GW39NC60VD-ND (номер в некоторых каталогах, например, Digi-Key)

Примечания по замене

При выборе аналога необходимо учитывать:

• Напряжение и ток (V_CES, I_C)
• Наличие встроенного диода
• Время переключения
• Корпус (TO-247 в данном случае)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты или консультироваться с производителем.

Если нужны уточнения по конкретному аналогу – напишите!