IGBT H30R1103

Описание IGBT H30R1103

H30R1103 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе высокую скорость переключения MOSFET и низкие потери проводимости биполярного транзистора. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других устройствах, требующих эффективного управления высокими напряжениями и токами.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|------------------------------| | Тип устройства | IGBT (N-канал) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1100 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 200 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Корпус | TO-247 (3 контакта) | | Температурный диапазон | -55°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с проверкой распиновки!):

• H30R1203 (1200 В, 30 А)
• H20R1103 (1100 В, 20 А)
• IRGP30B120KD (Infineon)

Примечания

1. Замена: При выборе аналога учитывайте параметры V_CES, I_C и корпус.
2. Охлаждение: Рекомендуется использование термопасты и радиатора из-за высоких тепловых потерь.
3. Защита: В схемах желательно предусмотреть снабберные цепи для подавления перенапряжений.

Для точного подбора аналога проверяйте даташит производителя и условия эксплуатации.