IGBT HAS200-P

Описание IGBT модуля HAS200-P

IGBT HAS200-P – это мощный транзисторный модуль с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и системах управления электродвигателями. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 70 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | модуль с изолированной базой (например, SEMiX, EconoPACK) | | Схема внутренних компонентов | IGBT + диод (обычно 6-в 1 или 2-в 1) |

Парт-номера и аналоги

• Оригинальный номер: HAS200-P
• Аналоги и совместимые модели:
  • Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
  • Mitsubishi: CM200DY-12NF
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-060
  • SEMIKRON: SKM200GB12T4
  • ON Semiconductor: NXH200B120H4

Совместимые модели и применение

Модуль HAS200-P может использоваться в таких устройствах, как:

• Частотные преобразователи (Danfoss, Schneider, ABB)
• Сварочные инверторы (ESAB, Fronius, Lincoln Electric)
• Промышленные приводы (Siemens, Yaskawa)

Если вам нужна более точная информация по замене, уточните производителя и версию модуля.