IGBT HYG15P120A1K1

Описание IGBT HYG15P120A1K1

HYG15P120A1K1 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для работы в высоковольтных и высокочастотных приложениях. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой стойкостью к перегрузкам и хорошей тепловой стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-IGBT) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 A |
| Пиковый ток (I_CM) | 60 A |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,62 °C/Вт |
| Температурный диапазон (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW30N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH30N120LSD
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• IXYS: IXGH30N120B3D1
• Toshiba: GT30J121

Похожие модели с близкими параметрами:

• IR (Infineon): IRG4PC30UD
• Mitsubishi: CM30DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120

Применение

Используется в:

• Инверторах и импульсных источниках питания
• Системах управления электродвигателями
• Сварочном оборудовании
• Устройствах плавного пуска
• Солнечных инверторах и UPS

Если вам нужны специфические параметры или аналоги в другом корпусе, уточните – помогу подобрать замену!