IGBT HYG15P120H1K1

Описание IGBT HYG15P120H1K1

IGBT HYG15P120H1K1 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, частотных приводов и других силовых электронных устройств. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями в открытом состоянии и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------|----------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 30 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 75 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 15 A) | | Время включения (t_on) | 24 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 |

Встроенный диод (FWD)

• Обратное напряжение (V_RRM) – 1200 В
• Ток диода (I_F) – 15 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG15N120BN (Microsemi)
• IXGH15N120B (IXYS/Littelfuse)

Парт-номера производителя:

• HYG15P120H1K1 (оригинал)
• HYG15P120H1 (аналогичная серия)

Применение

• Инверторы и частотные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или альтернативе – уточните условия применения.