IGBT ID7859

IGBT ID7859: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT ID7859 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Макс. напряжение VCES | 600 В / 1200 В (в зависимости от модификации) |
| Макс. ток коллектора (IC) | 75–150 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | До 300 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8–2.5 В (при номинальном токе) |
| Рассеиваемая мощность (PD) | До 300 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247, TO-3P или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT ID7859 может иметь различные обозначения в зависимости от производителя. Ниже приведены возможные аналоги:

Парт-номера:

• Infineon: IKW75N60T, IKW75N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA75N60SMD, FGH75N60SFD
• STMicroelectronics: STGW75H60DF, STGW75HF60W
• Mitsubishi: CM75DY-24H, CM75DY-12H

Совместимые модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (Fairchild)
• IXGH75N60B3D1 (IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужны точные параметры для конкретной модификации, уточните производителя или полную маркировку компонента.