IGBT IGD515EI

Описание IGBT IGD515EI

IGBT IGD515EI — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Этот компонент сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики IGD515EI

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): до 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5–6 В
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)

Особенности:

• Низкие динамические потери
• Быстрое переключение
• Встроенный диод обратного восстановления
• Высокая стойкость к короткому замыканию

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW50N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• ON Semiconductor: FGH50T65SQD

Совместимые модели в линейке (для замены):

• IGD515E (предыдущая версия)
• IGD515EX (модифицированная версия)
• IGD515EG (с улучшенным теплоотводом)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя.