IGBT ihw30n100r

Описание IGBT IHW30N100R

IHW30N100R — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Устройство сочетает в себе преимущества MOSFET (быстрое переключение) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А (максимальный импульсный) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А (номинальный) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 30 А, V_GE = 15 В) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температурный диапазон | -55°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип затвора | Изолированный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• IHW30N100R2 (улучшенная версия)
• IHW30N100R3 (более низкие потери)
• IHW40N100R (40 А, 1000 В)

Аналоги от других производителей:

• STGW30NC100HD (STMicroelectronics)
• FGA30N100ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PC50UD (International Rectifier/Infineon)
• H30R1002 (Hitachi)

Примечания по совместимости

При замене IHW30N100R на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение V_CES и ток I_C.
• Параметры переключения (t_on/t_off).
• Напряжение затвора (обычно 15 В).

Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если требуется дополнительная информация (например, графики характеристик или применение в конкретных схемах), уточните запрос.