IGBT IHW30N110R3

Описание IGBT IHW30N110R3

IHW30N110R3 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Infineon Technologies, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Этот компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошие тепловые характеристики, а внутренний диод (антипараллельный) позволяет использовать IGBT в мостовых схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1100 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 100°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 30 А) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 50 кГц) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты от других производителей:

• Infineon: IHW30N120R3 (1200 В, 30 А)
• Fairchild / ON Semiconductor: FGH30N120SMD (1200 В, 30 А)
• STMicroelectronics: STGW30H120DF3 (1200 В, 30 А)
• IXYS: IXGH30N120B3 (1200 В, 30 А)

Прямые аналоги с напряжением 1100 В:

• Infineon: IHW30N110R2 (более старая версия)
• Mitsubishi: CM300DY-110NF (модуль, но с похожими параметрами)

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• IRG4PH50UD (1200 В, 40 А, TO-247)
• HGTG30N120BND (1200 В, 30 А, TO-247)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Системы возобновляемой энергии

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно V_CE, I_C и встроенного диода.