IGBT IHW30N120R2

Описание IGBT-модуля IHW30N120R2

IHW30N120R2 – это IGBT-транзистор с N-каналом, разработанный для мощных импульсных и инверторных применений. Он объединяет в себе высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Основные сферы применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А (непрерывный) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А (непрерывный) |
| Импульсный ток (I_CM) | 60 А (макс.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт (при 25°C) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 35 нс (тип.) |
| Время выключения (t_d(off)) | 190 нс (тип.) |
| Температурный диапазон (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• IHW30N120R3 (аналог с улучшенными характеристиками)
• IHW30N120R5 (более высокая мощность)

Совместимые модели от других производителей:

• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N120ANTD
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• Mitsubishi: CM300DY-24A

Аналоги в других корпусах:

• TO-3P версия: IRG4PC30UDPBF (International Rectifier)

Примечание по замене

При замене IHW30N120R2 на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение V_CES (должно быть не ниже 1200 В)
• Ток коллектора (рекомендуется брать с запасом)
• Параметры переключения (особенно в высокочастотных схемах)

Если требуется более высокая мощность или улучшенное тепловыделение, можно рассмотреть модули в корпусах IHM (модульные сборки).

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению – уточните условия эксплуатации.