IGBT IHW40N60T

Описание IGBT IHW40N60T

IHW40N60T — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Infineon Technologies, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET и биполярных транзисторов, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовой электронике.

Основные области применения:

• Инверторы и импульсные источники питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT-IGBT (Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 20 А, 25°C) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 30 кГц) |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Встроенный диод | Быстрый обратный диод (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• IHW40N60R (аналог с улучшенными характеристиками)
• IHW40N60R5 (модификация с низкими потерями)
• IHW30N60T (30 А, 600 В)
• IHW50N60T (50 А, 600 В)

Совместимые модели от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 40 А, 600 В)
• FGA40N60SMD (Fairchild/ON Semi, 40 А, 600 В)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics, 40 А, 600 В)
• HGTG40N60C3 (Microsemi, 40 А, 600 В)

Примечания

• Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики в даташите.
• Для высокочастотных применений лучше выбирать модели с низкими потерями (например, IHW40N60R5).
• Для работы в тяжелых условиях (высокие токи, нагрев) рекомендуется использовать радиатор.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните!