IGBT IKW25N120H3

Описание IGBT IKW25N120H3

IKW25N120H3 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Компонент характеризуется низкими коммутационными потерями, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с ультрабыстрым диодом |
| Корпус | TO-247 |
| Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Коллекторный ток (I_C) при 25°C | 25 А |
| Коллекторный импульсный ток (I_CM) | 50 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 160 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 25 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 18 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 120 нс |
| Рабочая температура (T_j) | -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW25N120T, IKW30N120H3
• STMicroelectronics: STGW25H120DF, STGW30H120DF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• ON Semiconductor: FGH25N120ANTD

Совместимые модели (с близкими параметрами):

• IKW30N120H3 (30 А, 1200 В, TO-247)
• IKW40N120H3 (40 А, 1200 В, TO-247)
• IXGH25N120B (25 А, 1200 В, TO-247)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Системы плавного пуска

Данный IGBT подходит для замены в схемах, где критичны высокое напряжение и быстрая коммутация. Перед заменой рекомендуется проверить соответствие параметров в конкретной схеме.