IGBT IKW40N60H3

Описание IGBT IKW40N60H3

IKW40N60H3 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-247, разработанный для высокоэффективных преобразователей энергии. Этот компонент сочетает в себе преимущества MOSFET и биполярных транзисторов, обеспечивая низкие потери проводимости и быстрое переключение.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 24 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,5–6,5 В |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 110 нс |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус (R_thJC) | 0,75 °C/Вт |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 600 В |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от Infineon:

• IKW40N60T (аналог с улучшенными характеристиками)
• IKW40N60H3FKSA1 (альтернативная версия)

Совместимые модели от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGH40N60SMD (ON Semiconductor)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG40N60C3 (Fairchild/ON Semi)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Примечание

При замене на аналог важно учитывать вольт-амперные характеристики, температуру эксплуатации и параметры переключения. Рекомендуется проверять даташиты на соответствие требованиям схемы.