IGBT Ikw40t120fksa1

Описание IGBT-модуля IKW40T120FKSA1

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль с антипараллельным диодом (NPT TrenchStop™ technology)
Назначение: Преобразование энергии в силовой электронике (инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование, UPS и др.).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 40 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 25 А
• Ток импульсный (I_CM): 80 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 40 А)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс

Диодные характеристики:

• Прямое напряжение (V_F): 1.7 В (при I_F = 40 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.5 °C/Вт
• Диапазон температур:
  • Рабочая: от -40°C до +150°C
  • Хранения: от -40°C до +125°C

Корпус и монтаж:

• Корпус: TO-247 (3 контакта)
• Изоляция: Частично изолированный (требуется термопрокладка)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• IKW40N120H3 (аналог с улучшенными динамическими параметрами)
• IKW40N120T2 (альтернатива с низкими потерями)

Аналоги других производителей:

• FGA40N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• IRG4PC40UD (International Rectifier/Infineon)
• HGTG40N120B3 (Microsemi)

Совместимые модули (для замены в схемах):

• IKW30N120T2 (30 А, 1200 В) – при сниженной нагрузке
• IKW50N120T2 (50 А, 1200 В) – для больших токов
• IXGH40N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно V_CE и I_C.
• Рекомендуется использовать термопасту/прокладку для улучшения теплоотвода.
• Для высокочастотных применений предпочтительны модели с меньшим t_rr (например, IKW40N120H3).

Если нужна помощь в выборе аналога для конкретной схемы, уточните параметры системы (напряжение, ток, частоту переключений).