IGBT ikw50n60h3

Описание и технические характеристики IGBT IKW50N60H3

IKW50N60H3 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, импульсных источников питания и инверторных систем.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 50 А (максимальный)
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 30 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 250 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,55 В (при I_C = 25 А)
• Время включения (t_on): 31 нс
• Время выключения (t_off): 160 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера и эквиваленты:

• Infineon: IKW50N60T
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N60SMD
• IR (Infineon): IRG4PC50UD
• Mitsubishi: CM50DY-24H

Совместимые модели:

• IKW40N60H3 (40A, 600V)
• IKW75N60H3 (75A, 600V)
• IKW50N65H5 (50A, 650V)
• HGTG30N60A4D (30A, 600V, TO-247)
• FGH50N60SMD (50A, 600V, TO-247)

Этот IGBT подходит для применения в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Импульсных блоках питания
• Электроприводах

Если вам нужны аналоги с другими параметрами или корпусами, уточните требования.