IGBT ikw75n60t

Описание и технические характеристики IGBT IKW75N60T

Описание:
IKW75N60T — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 75 А в импульсе. Применяется в инверторах, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А (импульсный) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,55 В (при I_C = 40 A) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW75N60T (оригинал)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH75N60SMD
• STMicroelectronics: STGW75NC60WD
• IR (Infineon): IRG7PH50UD1

Совместимые модели (по характеристикам):

• IKW75N60H3 (Infineon) – 600 В, 75 А, улучшенные динамические характеристики
• IXGH75N60B3D1 (IXYS/Littelfuse) – 600 В, 75 А, TO-247
• HGTG75N60A4D (Fairchild/ON Semi) – 600 В, 75 А, TO-247

Применение:

• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики корпуса.