IGBT IRG4BC30F

IGBT IRG4BC30F: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT IRG4BC30F — это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный компанией International Rectifier (Infineon Technologies). Он предназначен для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, систем управления электродвигателями и других силовых приложений.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Высокая скорость переключения.
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного тока.
• Корпус TO-220AB, удобный для монтажа на теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 23 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 46 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 11,5 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 48 Вт | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 220 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C ... +150°C | | Корпус | TO-220AB |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon/IR:

• IRG4BC30U (более новая версия)
• IRG4BC30KD (с улучшенными характеристиками)
• IRG4BC30KPBF (Pb-free корпус)

Совместимые модели от других производителей:

• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Renesas)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Косвенные замены (с проверкой распиновки и параметров):

• IRG4PC50U (более высокое напряжение, 600 В, 55 А)
• IRG4PH50UD (1200 В, 40 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления двигателями

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверить даташиты на предмет соответствия электрическим и тепловым параметрам.