IGBT Irg7ph50upbf

Описание IGBT IRG7PH50UPBF

IRG7PH50UPBF — это IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный компанией Infineon Technologies. Он предназначен для использования в высокоэффективных силовых преобразовательных устройствах, таких как инверторы, сварочное оборудование, импульсные источники питания и электроприводы.

Этот IGBT отличается низкими коммутационными потерями, высокой стойкостью к перегрузкам и устойчивостью к коротким замыканиям, что делает его пригодным для работы в жестких условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с ультрабыстрым диодом | | Корпус | TO-247 | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,05 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Энергия выключения (E_off) | 1,5 мДж | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,45 °C/Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +175°C | | Встроенный диод | Да (ультрабыстрый антипараллельный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• IRG7PH46UDPBF (1200 В, 45 А, TO-247)
• IRG7PH42UD (1200 В, 40 А, TO-247)
• IRG7PH35UD (1200 В, 35 А, TO-247)

Аналоги от других производителей:

• STGW40H120DF2 (STMicroelectronics, 1200 В, 40 А, TO-247)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 50 А, TO-247)
• HGTG30N120B3D (Microsemi, 1200 В, 30 А, TO-247)

Совместимые модули (если требуется сборка из нескольких IGBT):

• FP50R12KT3 (Infineon, 1200 В, 50 А, модуль)
• Mitsubishi CM75DY-24H (1200 В, 75 А, модуль)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам по напряжению, току и динамическим характеристикам.