IGBT irgp35b60pdpbf

Описание IGBT IRGP35B60PDPBF

IRGP35B60PDPBF — это изолированный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) производства Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Этот компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для использования в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и электроприводах.

Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, а встроенный быстрый диод помогает минимизировать обратные потери.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 35 А (непрерывный) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 20 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 70 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,9 В (при I_C = 35 А) |
| Энергия переключения (E_on/E_off) | 0,15 мДж / 0,25 мДж |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 30 нс / 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C |
| Корпус | TO-247 (3 контакта) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRGP35B60PD (аналогичный IGBT без изменений)
• IRGP4063DPBF (600 В, 45 А, TO-247)
• IRGP50B60PD1PBF (600 В, 50 А, TO-247)
• FGA35N60ANTD (Fairchild, 600 В, 35 А, TO-247)
• HGTG35N60B3D (ON Semiconductor, 600 В, 35 А, TO-247)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (600 В, 40 А, TO-247AC)
• IXGH35N60B3D1 (IXYS, 600 В, 35 А, TO-247)
• STGW35HF60WD (STMicroelectronics, 600 В, 35 А, TO-247)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть модели IRGP50B60PD1PBF (50 А) или IRGP4063DPBF (45 А). Для замены в критичных условиях важно учитывать вольт-амперные характеристики и тепловые параметры.