IGBT irgp50b60pd1pbf

Описание IGBT IRGP50B60PD1PBF

IRGP50B60PD1PBF – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Этот IGBT обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, сварочного оборудования, импульсных источников питания и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-247AC обеспечивает эффективное теплоотведение, а встроенный быстрый диод позволяет использовать его в мостовых схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C при 25°C) | 75 А | | Ток коллектора (I_C при 100°C) | 50 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,65 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247AC |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon

• IRGP50B60PD1 (тот же чип, без суффикса "PBF" – бессвинцовая версия)
• IRG4PH50UD (600 В, 55 А, TO-247AC)
• IRG4PC50UD (600 В, 55 А, TO-247AC)

Аналоги от других производителей

• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N60C3D (Renesas)
• STGW50HF60WD (STMicroelectronics)

Совместимые замены (с проверкой схемы)

• IXGH50N60B3D1 (IXYS)
• APT50GF60B2G (Microsemi)
• NGTB50N60S2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверить разводку платы и параметры схемы. Некоторые аналоги могут иметь отличия в характеристиках переключения или тепловых режимах.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!