IGBT ISOPLUS247

Описание IGBT ISOPLUS247

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе ISOPLUS247 – это популярный модуль, используемый в силовой электронике для управления высокими напряжениями и токами. Корпус ISOPLUS247 обеспечивает хорошие тепловые и электрические характеристики, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других промышленных применений.

Технические характеристики

Характеристики могут варьироваться в зависимости от конкретной модели, но типичные параметры IGBT в корпусе ISOPLUS247:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В, 1700 В
• Ток коллектора (I_C): 25 А – 100 А (в зависимости от модели)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): до 300 Вт
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Напряжение затвора (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В – 2,5 В
• Корпус: изолированный (с гальванической развязкой)
• Тип монтажа: винтовой или пайка

Популярные парт-номера

В зависимости от производителя, основные модели IGBT в корпусе ISOPLUS247:

• Infineon:
  • IKW25N120H3 (1200 В, 25 А)
  • IKW40N120H3 (1200 В, 40 А)
  • IKW75N60T (600 В, 75 А)
• STMicroelectronics (ST):
  • STGW40H120DF2 (1200 В, 40 А)
  • STGW30H120DF2 (1200 В, 30 А)
• Fuji Electric:
  • 2MBI100U2A-060 (600 В, 100 А)
  • 2MBI75U2B-120 (1200 В, 75 А)
• Mitsubishi:
  • CM75DY-24H (1200 В, 75 А)

Совместимые модели

Некоторые IGBT в корпусе ISOPLUS247 взаимозаменяемы с аналогами других производителей, если совпадают:

• Напряжение (V_CES)
• Ток (I_C)
• Характеристики затвора

Примеры замен:

• IKW40N120H3 (Infineon) ↔ STGW40H120DF2 (ST)
• 2MBI75U2B-120 (Fuji) ↔ CM75DY-24H (Mitsubishi)

Перед заменой необходимо проверять datasheet на соответствие характеристик!

Если вам нужны точные параметры для конкретной модели – уточните производителя и номер.