IGBT IXA60IF1200NA

Описание IGBT IXA60IF1200NA

IXA60IF1200NA — это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А (непрерывный) | | Пиковый ток (I_CM) | 120 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,2 В (при I_C = 60 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Корпус | TO-264 (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS:

• IXA60IF1200NA1 (модифицированная версия)
• IXA60IF1200NA2 (улучшенные динамические характеристики)
• IXGH60N120 (альтернатива с похожими параметрами)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IKW60N120T2
• STMicroelectronics: STGW60HF120
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM600HA-24A

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров, особенно по:

• Напряжению V_CES
• Току I_C
• Временам переключения
• Корпусу и монтажным требованиям

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения — укажите, и я помогу подобрать подходящий вариант.