IGBT IXBH9N160G

Описание IGBT IXBH9N160G

IXBH9N160G — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым восстановлением обратного диода, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Компонент обладает низкими коммутационными потерями, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам, что делает его идеальным для:

• Инверторов и преобразователей частоты
• Сварочного оборудования
• Систем управления электродвигателями
• Импульсных источников питания

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 9 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 6 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 35 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 200 нс |
| Диапазон температур | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги (Littelfuse/IXYS):

• IXBH9N160 (предыдущая версия без суффикса "G")
• IXBH10N160 (10 А, 1600 В)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IHW15N160R5 (15 А, 1600 В)
• STMicroelectronics: STGW40H160DF (40 А, 1600 В)
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-160 (200 А модуль, но схожие параметры по напряжению)

Прямые замены (проверять распиновку!):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 50 А, 1200 В)
• HGTG20N60C3 (ON Semiconductor, 20 А, 600 В) – для менее мощных систем

Примечания по замене:

1. Напряжение и ток: При замене убедитесь, что аналог поддерживает не менее 1600 В и 9 А.
2. Диод обратного восстановления: Критично для инверторных схем.
3. Термическое сопротивление: TO-247 корпус требует эффективного охлаждения.

Если нужны специфичные datasheet или рекомендации по применению — уточните условия эксплуатации!