IGBT IXER35N120D1

IGBT IXER35N120D1
Артикул: 298455

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT IXER35N120D1

Описание IGBT IXER35N120D1

IXER35N120D1 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 35 А. Применяется в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
  • Ток коллектора (IC) при 25°C: 35 А
  • Ток коллектора (IC) при 100°C: 22 А
  • Импульсный ток (ICM): 70 А
  • Мощность (Ptot): 200 Вт
  • Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,1 В (при 35 А)
  • Время включения (ton): 45 нс
  • Время выключения (toff): 220 нс
  • Тепловое сопротивление (RthJC): 0,62 °C/Вт
  • Корпус: TO-247

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

  • IXYS IXER35N120D1 (оригинал)
  • IXGN35N120B3 (аналог от IXYS)
  • IRG4PH40UD (International Rectifier)
  • HGTG30N120B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • FGA35N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

  • IXGH40N120B3 (IXYS, 40 А)
  • IRG4PC50UD (Infineon, 50 А)
  • STGW35NB120KD (STMicroelectronics)

Если требуется замена, важно учитывать параметры VCES, IC и корпус. Для точного подбора рекомендуется проверить datasheet аналогичного компонента.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!

Товары из этой же категории