IGBT IXER35N120D1

Артикул: 298455
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT IXER35N120D1
Описание IGBT IXER35N120D1
IXER35N120D1 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 35 А. Применяется в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и системах управления электродвигателями.
Технические характеристики
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC) при 25°C: 35 А
- Ток коллектора (IC) при 100°C: 22 А
- Импульсный ток (ICM): 70 А
- Мощность (Ptot): 200 Вт
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,1 В (при 35 А)
- Время включения (ton): 45 нс
- Время выключения (toff): 220 нс
- Тепловое сопротивление (RthJC): 0,62 °C/Вт
- Корпус: TO-247
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- IXYS IXER35N120D1 (оригинал)
- IXGN35N120B3 (аналог от IXYS)
- IRG4PH40UD (International Rectifier)
- HGTG30N120B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
- FGA35N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):
- IXGH40N120B3 (IXYS, 40 А)
- IRG4PC50UD (Infineon, 50 А)
- STGW35NB120KD (STMicroelectronics)
Если требуется замена, важно учитывать параметры VCES, IC и корпус. Для точного подбора рекомендуется проверить datasheet аналогичного компонента.
Нужна дополнительная информация? Готов помочь!